Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou
Dátum:
Dátum zverejnenia: | 05.08.2025 |
Dátum začatia: | 01.07.2025 |
Dátum ukončenia: | neuvedený |
Identifikácia projektu:
Prijímateľ: | Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. |
IČO prijímateľa: | 00598429 |
Miesto realizácie: | Bratislava |
Poskytovateľ: | Agentúra na podporu na výskumu a vývoja |
Typ poskytnutej pomoci: | nenávratná |
CRP ID: | #205009 |
Cenové plnenie:
Výška pomoci: 120 000,00 €
Vystavil: Agentúra na podporu výskumu a vývoja Zobrazenia: 0x