Charakterizácia elektrických vlastností HEMT a MOSHFET tranzistorov na báze AIGaN(lnAIN)/GaN heteroštruktúr podporená 2/3-D MODelovaním a SIMuláciou
Dátum:
| Dátum zverejnenia: | 03.04.2013 |
|---|---|
| Dátum začatia: | 03.09.2009 |
| Dátum ukončenia: | neuvedený |
Identifikácia projektu:
| Prijímateľ: | Slovenská technická univerzita v Bratislave |
|---|---|
| IČO prijímateľa: | 00397687 |
| Miesto realizácie: | Bratislava |
| Poskytovateľ: | |
| Typ poskytnutej pomoci: | nenávratná |
| CRP ID: | #12765 |
Cenové plnenie:
Výška pomoci: 5 379,00 €
Zmluvy:
| Zverejnené | Názov zmluvy / č. zmluvy | Cena | Dodávateľ | Objednávateľ |
|---|---|---|---|---|
| ZMLUVA O POSKYTNUTÍ PROSTRIEDKOV č. LPP-0195-09 LPP-0195-09 |
5 379,00 € | Slovenská technická univerzita v Bratislave | Agentúra na podporu výskumu a vývoja |
Vystavil: Agentúra na podporu výskumu a vývoja Zobrazenia: 0x