Vývoj technológií epitaxie Ga2O3 na rôzne substráty a Schottkyho diód so zlepšenou spoľahlivosťou
Dátum:
| Dátum zverejnenia: | 05.08.2025 |
|---|---|
| Dátum začatia: | 01.07.2025 |
| Dátum ukončenia: | neuvedený |
Identifikácia projektu:
| Prijímateľ: | Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. |
|---|---|
| IČO prijímateľa: | 00598429 |
| Miesto realizácie: | Bratislava |
| Poskytovateľ: | Agentúra na podporu na výskumu a vývoja |
| Typ poskytnutej pomoci: | nenávratná |
| CRP ID: | #205009 |
Cenové plnenie:
Výška pomoci: 120 000,00 €
Zmluvy:
| Zverejnené | Názov zmluvy / č. zmluvy | Cena | Dodávateľ | Objednávateľ |
|---|---|---|---|---|
| ZMLUVA O POSKYTNUTÍ PROSTRIEDKOV č. SK-TW-RD-24-0006 SK-TW-RD-24-0006 |
120 000,00 € | Elektrotechnický ústav SAV, v. v. i. | Agentúra na podporu výskumu a vývoja |
Vystavil: Agentúra na podporu výskumu a vývoja Zobrazenia: 0x